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専門技術ポートフォリオ

技術プラットフォーム

プラットフォームを選択するか、必要な機能・性能・材料・インターフェースを直接送信してください。

カスタムPMUTプラットフォーム
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カスタムPMUTプラットフォーム

1–5、2–6、3–10、4–13、5–15、8–20、1–15 MHzのOEMアーキテクチャに対応する産業向けPMUTチップ/アレイ。

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圧電MEMSマイク/スピーカー
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圧電MEMSマイク/スピーカー

小型・高感度・広帯域の音響デバイス。

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圧電MEMSマイクロミラー
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圧電MEMSマイクロミラー

低電圧で高速・高精度な光走査。

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SiCプラットフォーム
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SiCプラットフォーム

高出力、過酷環境、フォトニクス、センシング向け。

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InPプラットフォーム
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InPプラットフォーム

通信・センシング向け高速フォトニクス/オプトエレクトロニクス。

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InAs / InGaAsプラットフォーム
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InAs / InGaAsプラットフォーム

赤外検出、センシング、光電子向け先端III–V材料。

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PICプラットフォーム
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PICプラットフォーム

スケーラブルな光システム向けフォトニック集積回路。

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PIC+機能材料集積
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PIC+機能材料集積

波長可変フォトニクス、高速変調、多材料集積。

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メタサーフェス/メタレンズ
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メタサーフェス/メタレンズ

集光、ビーム整形、イメージング向け平面光学。

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GaN/カスタムデバイスプラットフォーム
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GaN/カスタムデバイスプラットフォーム

顧客要件で定義する先端機能デバイス。

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材料・ウェハファウンドリ

マルチマテリアル製造を一つの入口で

圧電、フォトニクス、III–V、ワイドバンドギャップ、異種材料系のカスタム設計とウェハプロセスに対応します。

標準・確立ルート

Piezoelectric / electro-optic

PZTAlNAlScN (≤40% Sc)BTO-on-Si
標準・確立ルート

Photonics / silicon

Si₃N₄SOIGe-on-SiGeSn
標準・確立ルート

III–V semiconductors

GaAsInPInAsInGaAsGaN / AlGaN/GaN
標準・確立ルート

Wide-bandgap / advanced

SiCDiamondGaN-on-SiGaN-on-sapphire
標準・確立ルート

Heterogeneous integration

PIC + PiezoPIC + BTOPMUT-on-ASIC / interposerIII–V-on-photonics
案件別フィージビリティ

Engineering feasibility

non-standard bonded stackscustomer-supplied epi / wafersproject-specific materialscustom substrate stacks
SiCOI wafer
Piezoelectric speaker wafer
SEM process detail
Packaged semiconductor module
SEM process characterization

お問い合わせ

スイスの設計力、多材料集積、ウェハレベル製造をMEMSの枠を超えて提供します。

25FAB AI支援エンジニアリング

必要な機能を25FABにお知らせください

技術評価可能な要件を入力してください。このサイトには保存されず、最後にお使いのメールアプリで送信内容を作成します。

支払い確認当日の設計パッケージ

技術要件が完全で実行可能な場合、支払い確認当日に設計パッケージを納品できます。製造・評価・カスタムプロセス開発は別スケジュールです。

支払い → 設計
ファミリーを選択すると専門的な入力項目が表示されます。25FAB AI Designを開く ↗
01設計要件
必須項目です。
選択した設計ファミリーに応じて技術例が変わります。
02希望する納品物
03会社 / 研究機関
必須項目です。