デバイス要件を定義
- 機能と用途
- 帯域・周波数・波長
- 優先性能
- 寸法とウェハ形式
- インターフェースと実装
- 数量とスケジュール
エピタキシー · カスタムデバイス
InAs / InGaAsプラットフォーム
目標性能に合わせた赤外デバイスとヘテロ構造。
赤外検出、センシング、光電子向け先端III–V材料。
赤外
検出
ヘテロ構造
専用集積
集積対応
- 多材料モノリシック集積
- ヘテロジニアス／バックエンド集積
- 圧電・フォトニック材料
- III–V・ワイドバンドギャップ半導体
- DFM・テスト互換性
- 試作からウェハレベル量産
製造ルート
1
サンプル
2
パイロット
3
量産
製造・評価
ウェハ、デバイス、微細構造の代表画像。
