デバイス要件を定義
- 機能と用途
- 帯域・周波数・波長
- 優先性能
- 寸法とウェハ形式
- インターフェースと実装
- 数量とスケジュール
モノリシック／ヘテロジニアス集積
PIC＋機能材料集積
機能層とフォトニック回路を組み合わせ、チューニング、変調、位相制御を実現します。
Engineering · Pilot · Volume production programs accepted波長可変フォトニクス、高速変調、多材料集積。
可変フォトニクス
高速変調
位相制御
共同集積
20 MHz/V20 MHz/V measured DC tuning
Piezo-tunable PIC near 1550 nm with repeatable optical response under +10 V / −10 V actuation.
集積対応
- 多材料モノリシック集積
- ヘテロジニアス／バックエンド集積
- 圧電・フォトニック材料
- III–V・ワイドバンドギャップ半導体
- DFM・テスト互換性
- 試作からウェハレベル量産
製造ルート
1
サンプル
2
パイロット
3
量産
製造・評価
ウェハ、デバイス、微細構造の代表画像。
