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Epitassia e dispositivi custom

Piattaforme InAs / InGaAs

Dispositivi IR ed eterostrutture progettati sulle prestazioni richieste.

Materiali III–V avanzati per infrarosso, sensori e optoelettronica.

Infrarosso
Rilevazione
Eterostrutture
Integrazione dedicata
Piattaforme InAs / InGaAs

Definisci il dispositivo

  • Funzione e applicazione
  • Banda, frequenza o lunghezza d’onda
  • Prestazioni prioritarie
  • Dimensioni e formato wafer
  • Interfacce e packaging
  • Volume e calendario

Capacità di integrazione

  • Integrazione monolitica multi-materiale
  • Percorsi eterogenei e backend
  • Materiali piezoelettrici e fotonici
  • III–V e semiconduttori wide-bandgap
  • Compatibilità DFM e test
  • Dal prototipo alla produzione wafer

Percorso di produzione

1

Campioni

2

Pilot

3

Produzione

Produzione e caratterizzazione

Immagini rappresentative di wafer, dispositivi e microstrutture.

Invia progetto

Piattaforme InAs / InGaAs

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Pacchetto di design pagato e consegnato in giornata

Dopo la conferma del pagamento, il pacchetto può essere consegnato in giornata se le specifiche sono complete e utilizzabili. Produzione e qualifica seguono tempi separati.

PAGAMENTO → DESIGN
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01Specifiche di progetto
Campo obbligatorio.
Gli esempi tecnici cambiano con la famiglia selezionata.
02Deliverable richiesti
03Azienda / istituzione
Campo obbligatorio.