
Micromiroirs MEMS piézoélectriques
Déviation de faisceau et balayage optique rapides avec actionnement piézoélectrique basse tension.
De l’exigence fonctionnelle à une architecture fabricable sur des systèmes piézoélectriques, photoniques, III–V et à large bande interdite — avec intégration monolithique multi-matériaux et mise à l’échelle wafer.
Soumettez les fonctions visées pour MEMS, photonique, métasurfaces, semi-conducteurs composés ou dispositifs sur mesure. La plateforme les traduit en architectures fabricables et en voies d’intégration multi-matériaux.
Des plateformes fonctionnelles pour passer rapidement du besoin à un dispositif fabricable.

Déviation de faisceau et balayage optique rapides avec actionnement piézoélectrique basse tension.

Familles PMUT de 1 à 60 MHz, des éléments uniques aux matrices de 1 024+ éléments.
Développement et fabrication pour MEMS, photonique, métasurfaces, semi-conducteurs composés et dispositifs sur mesure.
Puces et matrices PMUT configurables de 1 à 60 MHz.
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Dispositifs acoustiques compacts, sensibles et à large bande.
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Balayage optique rapide et précis à basse tension.
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Dispositifs robustes pour puissance, environnements sévères, photonique et détection.
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Photonique et optoélectronique rapides pour communications et détection.
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Matériaux III–V avancés pour infrarouge, capteurs et optoélectronique.
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Circuits photoniques intégrés pour systèmes optiques évolutifs.
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Photonique accordable, modulation et intégration multi-matériaux.
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Optique plane sur mesure pour focalisation, mise en forme et imagerie.
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Dispositifs fonctionnels avancés définis par le besoin client.
Voir la plateforme →Des étapes claires pour les équipes OEM, de recherche et deep-tech.
Fonction, performances, dimensions, interfaces et livrables.
Architecture IA, simulation, revue d’ingénierie et DFM.
Dies ou wafers d’ingénierie pour validation physique.
Runs pilotes et dédiés vers une fourniture répétable.
De l’exigence fonctionnelle à une architecture fabricable sur des systèmes piézoélectriques, photoniques, III–V et à large bande interdite — avec intégration monolithique multi-matériaux et mise à l’échelle wafer.