{"id":760,"date":"2025-12-03T19:51:02","date_gmt":"2025-12-03T19:51:02","guid":{"rendered":"https:\/\/25fab.ch\/?page_id=760"},"modified":"2026-01-25T21:48:13","modified_gmt":"2026-01-25T21:48:13","slug":"fabrication-de","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/fabrication-de\/","title":{"rendered":"fabrication-de"},"content":{"rendered":"\n

Leistungen -> Fertigung<\/p>\n\n\n\n

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\"\"<\/a><\/figure>\n\n\n\n
\"\"<\/a><\/figure>\n\n\n\n
\"\"<\/a><\/figure>\n<\/div>\n\n\n\n

Dienstleistungen f\u00fcr Mikro- und Nanofabrikation<\/strong><\/p>\n\n\n\n

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Photo Lithographie<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

Pr\u00e4zisions-Lithografie-Foundry \u2013 10\u202fnm bis 100\u202fnm, 4″ bis 8″ Wafer<\/strong><\/p>\n\n\n\n

25FAB bietet eine umfassende Inhouse-Lithografie-Suite, die nahtlos integriert:<\/p>\n\n\n\n

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  • 200\u202fkV Elektronenstrahl-Lithografie<\/strong> (\u2264\u202f10\u202fnm Aufl\u00f6sung, ideal f\u00fcr Metasurfaces und Quantenphotonik)<\/li>\n\n\n\n
  • 193\u202fnm DUV-Immersionsstepper<\/strong> (100\u202fnm Strukturen f\u00fcr 4″ bis volle 8″ Volumenproduktion von TFLN, InP und MEMS-PICs)<\/li>\n\n\n\n
  • Maskenlose Laser-Direktbelichtung<\/strong> (\u2265\u202f300\u202fnm f\u00fcr schnelles Prototyping und Mikrofluidik)<\/li>\n\n\n\n
  • Doppelseitige Kontakt-\/Projektions-Aligner<\/strong> (\u2265\u202f0,8\u202f\u00b5m mit Submikrometer-Front-\/Back-Alignment f\u00fcr MEMS und Bonding)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Alle Prozesse folgen einheitlichen Designregeln und Metrologie, wodurch risikofreie \u00dcberg\u00e4nge von 10\u202fnm F&E bis zu 100\u202fnm Hochvolumen-8″-Runs gew\u00e4hrleistet sind.<\/p>\n\n\n\n

    Wenn Pr\u00e4zision, Skalierbarkeit und Zuverl\u00e4ssigkeit entscheidend sind, liefert 25FAB unvergleichliche lithografische Flexibilit\u00e4t.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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    Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

    25FAB bietet das weltweit breiteste Lithografie-Portfolio \u2014 von \u2264\u202f10\u202fnm EBL bis zu 100\u202fnm vollformatigem 8″-DUV-Stepper \u2014 und erm\u00f6glicht so den nahtlosen \u00dcbergang von Forschung mit h\u00f6chster Aufl\u00f6sung zu hochvolumiger Serienproduktion in einer einzigen Foundry.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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    \u00c4tzen<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

    Branchenf\u00fchrendes Trocken\u00e4tzen f\u00fcr piezoelektrische & photonische D\u00fcnnschichten<\/strong> Volle 4″- bis 8″-F\u00e4higkeit (plus Chip-\/St\u00fcckbearbeitung) mit dem umfassendsten Trocken\u00e4tz-Portfolio f\u00fcr LiNbO\u2083, LTO, PLZT, PZT, AlN, ScAlN, Quarz und alle piezo-\/photonischen D\u00fcnnschichten:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Hochratiges, schadarmes ICP\/RIE<\/strong> f\u00fcr LiNbO\u2083, LTO, PZT, AlN<\/li>\n\n\n\n
    • Ultraglatte IBE<\/strong> f\u00fcr piezoelektrische Stapel und Metalle<\/li>\n\n\n\n
    • Gratfreies DRIE<\/strong> f\u00fcr hoch-aspektige Piezo-Strukturen<\/li>\n\n\n\n
    • Haftungsfreies Dampfphasen-HF-\/XeF\u2082-Release<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Uniformit\u00e4t <\u202f1,5\u202f% (3\u03c3), Seitenwandrauheit <\u202f1,5\u202fnm RMS, schadensfreie Profile \u2014 nachgewiesen \u00fcber volle 200\u202fmm Wafer.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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      Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

      Schadensfreies, ultrapr\u00e4zises Trocken\u00e4tzen (ICP\/RIE\/DRIE\/IBE\/Dampf-HF & XeF\u2082) von LiNbO\u2083, LTO, PLZT, PZT, AlN, AlScN, Si\u2083N\u2084, SiO\u2082, Metallen (Al\/Ti\/Ta\/W\/Au\/Cu) sowie allen zugeh\u00f6rigen photonischen\/piezoelektrischen Stapeln \u2013 von einzelnen Chips bis hin zu kompletten 8″-Wafern.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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      Mittelstrom-Ionenimplantationsservice<\/strong><\/strong><\/h2>\n\n\n\n

      Wafergr\u00f6\u00dfen:<\/strong> 4, 6, 8, 12\u202fZoll sowie nicht-standardisierte\/kundenspezifische Formen Energiebereich:<\/strong> 5 \u2013 210\u202fkeV Dosisbereich:<\/strong> 5\u00d710\u00b9\u00b9 \u2013 1\u00d710\u00b9\u2077\u202fIonen\/cm\u00b2 Implantationswinkel:<\/strong> Tilt 0\u00b0\u201360\u00b0, Twist 0\u00b0\u2013359\u00b0 (volle 4-Achsen-Kontrolle) Unterst\u00fctzte Spezies:<\/strong> H, He, P (weitere Spezies auf Anfrage verf\u00fcgbar) Kompatible Substrate:<\/strong> SiC, Si, LiNbO\u2083, LiTaO\u2083, Diamant, LNOI\/LTOI, Quarz<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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      Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

      25FAB f\u00fchrt kontrollierte Dotierung und Materialmodifikation von H, He und P in SiC, LiNbO\u2083, LiTaO\u2083, Diamant und Siliziumsubstraten bis zu 12\u202fZoll durch \u2013 mittels Mittelstrom-Ionenimplantation.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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      Pr\u00e4zisions-R\u00fcckschleif- und Spannungsentlastungsservice<\/strong><\/strong><\/strong><\/h2>\n\n\n\n

      4\u20138 Zoll Wafer<\/p>\n\n\n\n

      Ausgangsdicke:<\/strong> \u2264\u202f2200\u202f\u00b5m Endg\u00fcltige TTV:<\/strong> <\u202f1\u202f\u00b5m (200\u202fmm Wafer) Oberfl\u00e4chenfinish:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

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      • Si, LiNbO\u2083, LiTaO\u2083, SiO\u2082, YAG:<\/strong> Ra <\u202f10\u202fnm<\/li>\n\n\n\n
      • 4H\/6H-SiC (mono- & polykristallin):<\/strong> Ra <\u202f3\u202fnm<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        Kompatible Materialien:<\/strong> SiC, Si, LN, LT, LNOI, Quarz, Saphir, YAG<\/p>\n\n\n\n

        Optionen f\u00fcr vollst\u00e4ndige Spannungsentlastung und Entfernung von Subsurface-Sch\u00e4den:<\/strong> Nass\u00e4tzen \/ Trockenpolieren<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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        Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

        25FAB bietet hochpr\u00e4zises R\u00fcckschleifen und Oberfl\u00e4chenfinish f\u00fcr 4\u20138\u202fZoll SiC-, LiNbO\u2083-, LiTaO\u2083- und verwandte Substrate, um Submikrometer-TTV und Rauheiten im Nanometerbereich zu erreichen. Dies erm\u00f6glicht D\u00fcnnwafer-Packaging, reduzierte thermische Widerst\u00e4nde und verbesserte W\u00e4rmeableitung auf Bauelementebene.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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        Chemisch-mechanisches Polieren (CMP)<\/strong><\/strong><\/h2>\n\n\n\n

        4\u20138 inch Wafers<\/p>\n\n\n\n

        Wafergr\u00f6\u00dfen:<\/strong> 4, 6, 8\u202fZoll Dickenbereich:<\/strong> 290 \u2013 1100\u202f\u00b5m Oberfl\u00e4chenrauheit:<\/strong> Ra <\u202f0,2\u202fnm (polykristallines SiC: Ra <\u202f0,5\u202fnm) Abtragskontrolle:<\/strong> <\u202f40\u202fnm Gesamtdickenschwankung \u00fcber den gesamten Wafer Kompatible Substrate:<\/strong> monokristallines und polykristallines SiC, Si, LiNbO\u2083 (LN), LiTaO\u2083 (LT), SiO\u2082, LNOI, gebondete Stapel sowie andere Verbundmaterialien<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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        Hauptfunktion:

        25FAB bietet produktionsreifes CMP (Chemisch-mechanisches Polieren), um D\u00fcnnschichten auf 4\u20138\u202fZoll Wafern zu planarisieren und zu polieren. Dabei werden Sub-\u00c5ngstr\u00f6m-Rauheiten und eine Dickenuniformit\u00e4t von unter 40\u202fnm erreicht \u2013 ideal f\u00fcr photonische, piezoelektrische und Verbindungshalbleiter-Bauelemente.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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        Hochtemperatur-LPCVD-Ofenanlage<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

        4-Zoll to full 8-Zoll (200 mm)<\/strong>

        Spannungsabgestimmtes Si\u2083N\u2084<\/strong> (Zug\/Druck, 10\u2013800\u202fnm) mit Brechungsindex 1,98\u20132,05 @ 1550\u202fnm HTO (High-Temperature Oxide)<\/strong> und LTO (Low-Temperature Oxide)<\/strong> mit <\u202f1\u202f% Wafer-internem Uniformit\u00e4tswert Ultraniedriges Stress- und Gradienten-Nitrid<\/strong> f\u00fcr freitragende Membranen, Wellenleiter und photonische Kristalle Poly-Si, amorphes Si<\/strong> und Hochtemperatur-Temperung (>\u202f1100\u202f\u00b0C)<\/strong> im selben Cluster Wasserstofffreie Prozesse<\/strong> f\u00fcr CMOS-kompatible und LiNbO\u2083-sichere Abscheidung<\/p>\n\n\n\n

        Von ultraniedrigverlustiger Si\u2083N\u2084-Photonik<\/strong> bis zu hochwertigen Gate-\/Passivierungsoxiden<\/strong> \u2013 alles mit volumenfertiger Uniformit\u00e4t auf vollen 200\u202fmm Wafern.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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        Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

        25FAB bietet spannungskontrolliertes LPCVD-Si\u2083N\u2084, HTO, LTO, Poly-Si sowie Hochtemperatur-Temperung mit atomarer Uniformit\u00e4t \u00fcber 4\u20138\u202fZoll Wafer \u2013 f\u00fcr Photonik-, MEMS- und piezoelektrische Plattformen.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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        Pr\u00e4zises Wafer-Dicing & fortgeschrittene Formgebung<\/strong><\/strong><\/h2>\n\n\n\n

        4″- bis 8″-Full-Service-Dicing-Plattform<\/strong><\/p>\n\n\n\n

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        • Plasmabasiertes Stealth-Dicing:<\/strong> chipfrei, kerf-frei, ultrad\u00fcnne Die-Vereinzlung f\u00fcr LiNbO\u2083, LTO, SOI, GaN, SiC und fragile D\u00fcnnschichtstapel<\/li>\n\n\n\n
        • Irregul\u00e4res \/ kundenspezifisches Shape-Dicing:<\/strong> Freiform, gekr\u00fcmmt, hexagonal, Multi-Radius oder jede komplexe Geometrie mit Mikrometerpr\u00e4zision<\/li>\n\n\n\n
        • Hochgeschwindigkeits-Blade-Dicing, DBG und Multi-Projekt-Panelisierung<\/strong> ebenfalls verf\u00fcgbar<\/li>\n\n\n\n
        • Die-Festigkeit >\u202f750\u202fMPa<\/strong> routinem\u00e4\u00dfig erreicht bei 50\u202f\u00b5m d\u00fcnnem LiNbO\u2083<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Von Standard-Rechtecken bis zu vollst\u00e4ndig kundenspezifischen Konturen auf den empfindlichsten photonischen\/piezoelektrischen Wafern \u2013 25FAB schneidet, was andere nicht schneiden.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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          Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

          25FAB bietet chipfreies Stealth-Dicing und vollst\u00e4ndig kundenspezifische Die-Vereinzlung (jede Geometrie) f\u00fcr 4\u20138\u202fZoll fragile Verbindungs-, piezoelektrische und photonische Wafer.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

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          Wafer-Bonding bei Raumtemperatur<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

          Wafergr\u00f6\u00dfe:<\/strong> 4, 6, 8\u202fZoll Waferdicke:<\/strong> \uff1c\u202f1000\u202f\u00b5m Ausrichtungsgenauigkeit:<\/strong> X,Y \u2264\u202f70\u202f\u00b5m; \u03b8 \u2264\u202f0,2\u00b0 Bonding-Energie:<\/strong> 1,0\u20132,0\u202fJ\/m\u00b2 Verarbeitete Wafer-Typen:<\/strong> 4H-SiC, Poly-SiC, Si, SiO\u2082, LT, LN, Quarz, Glas, Saphir, InP, YAG, GaAs usw.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

          \n

          Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

          Homogenes und heterogenes Material-Bonding<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

          \n
          \n

          Hydrophiles und hybrides Wafer-Bonding<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

          Wafergr\u00f6\u00dfe:<\/strong> 6, 8\u202fZoll Waferdicke:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

            \n
          • 6\u202fZoll \u2264\u202f700\u202f\u00b5m<\/li>\n\n\n\n
          • 8\u202fZoll \u2264\u202f800\u202f\u00b5m<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            Bonding-Energie:<\/strong> 1,4 \u2013 2,0\u202fJ\/m\u00b2 Verarbeitete Wafer-Typen:<\/strong> Si, SiO\u2082, LT, LN, InP, GaAs, SiN usw.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

            \n

            Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

            Homogenes und heterogenes Material-Bonding<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

            \n
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            Thermokompressions- und Anodenbondingverfahren<\/strong><\/strong><\/h2>\n\n\n\n

            Wafergr\u00f6\u00dfe:<\/strong> 4, 6, 8, 12\u202fZoll
            Waferdicke:<\/strong> 0,3 \u2013 3\u202fmm
            Ausrichtungsgenauigkeit:<\/strong> \u2264\u202f0,5\u202fmm (mechanische Ausrichtung), \u2264\u202f2\u202f\u00b5m (optische Ausrichtung)
            Bonding-Energie:<\/strong> \u2265\u202f2,0\u202fJ\/m\u00b2
            Verarbeitete Materialtypen:<\/strong> Si, Au, Ag, Cu, AuSn, AlGe, SnAg, AuGe, AuIn, AuSi usw.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

            \n

            Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

            Thermokompressions-Bonding von metallischen Materialien, eutektisches Material-Bonding und Anodenbonding<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

            \n
            \n

            Ionenstrahl-Polier- und \u00c4tzmaschine<\/strong><\/strong><\/h2>\n\n\n\n

            Wafergr\u00f6\u00dfe:<\/strong> 4, 6, 8\u202fZoll Waferdicke:<\/strong> 400 \u2013 1000\u202f\u00b5m Anlagenf\u00e4higkeit:<\/strong> Erh\u00f6hung des THK-Sigma um mehr als das 3-Fache<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • SiO\u2082 THK-Bereich <\u202f10\u202f\u00c5<\/li>\n\n\n\n
            • LTOI\/LNOI-Bereich <\u202f100\u202f\u00c5<\/li>\n\n\n\n
            • SiCOI-Bereich <\u202f1000\u202f\u00c5 (Der Bereich wird durch den vorherigen Wert des Schicht-\/Filmmaterials beeinflusst)<\/em><\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Verarbeitete Wafer-Typen:<\/strong> SOI, SiO\u2082, SiC-Verbundsubstrate, LNOI, LTOI und andere beschichtete Materialien<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

              \n

              Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

              \u00c4tzen verschiedener D\u00fcnnschichtmaterialien und Durchf\u00fchrung von Schichtdickenanpassungen<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

              \n
              \n

              Kupferelektroplattierung mit hoher Uniformit\u00e4t f\u00fcr photonische und MEMS-Verbindungen<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

              Kupfer-Elektroplattierung ohne Voids f\u00fcr Hoch-Aspekt-Ratio-TSVs, Gr\u00e4ben und S\u00e4ulen<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Schichtdickenf\u00e4higkeit von <\u202f1\u202f\u00b5m bis >\u202f100\u202f\u00b5m in einem einzigen Schritt<\/li>\n\n\n\n
              • Mehrschichtige 3D-Interconnects mit nahtlosem Via-Chain-Stacking<\/li>\n\n\n\n
              • Wafer-intern \u2264\u202f2\u202f% (1\u03c3), Wafer-zu-Wafer \u2264\u202f1,5\u202f% Uniformit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
              • Kompatibel mit LiNbO\u2083, LTO, SOI, InP, Glas und d\u00fcnnen 8-Zoll-Wafern<\/li>\n\n\n\n
              • Ultrageringe Spannung (<\u202f30\u202fMPa) und hochreines Kupfer (>\u202f99,99\u202f%) f\u00fcr photonische Redistribution-Layers (RDL), MEMS-Spulen und supraleitende Strukturen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                Von d\u00fcnner Seed-Verst\u00e4rkung bis zu >\u202f100\u202f\u00b5m dicken Power-Routings \u2013 25FAB liefert die branchenweit zuverl\u00e4ssigste Kupfer-Elektroplattierung f\u00fcr hybride photonische Ger\u00e4te der n\u00e4chsten Generation.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                \n

                Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                25FAB bietet void-freie, hochuniforme Kupferelektroplattierung bis >\u202f100\u202f\u00b5m Schichtdicke mit Multi-Layer-3D-Interconnect-F\u00e4higkeit auf 4\u20138\u202fZoll photonischen, piezoelektrischen und Verbindungshalbleiter-Wafern.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                \n
                \n

                Fortschrittliche PVD-Verfahren: Sputtern und Elektronenstrahlverdampfung<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                4\u2011Zoll bis volle 8\u2011Zoll (200\u202fmm) volumenf\u00e4hige Plattform<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Reaktives & Co\u2011Sputtern<\/strong> von PZT, AlN, ScAlN, LiNbO\u2083, SiO\u2082, Al\u2082O\u2083, TiO\u2082, ITO, HfO\u2082, Ta\u2082O\u2085 (Uniformit\u00e4t <\u202f0,8\u202f% 1\u03c3)<\/li>\n\n\n\n
                • Pr\u00e4zisionsmetalle & Legierungen:<\/strong> Al, Cu, Ti, Ta, Au, Pt, Ni, Cr, W, Mo mit Spannungssteuerung \u00b1\u202f10\u202fMPa<\/li>\n\n\n\n
                • Multi\u2011Pocket\u2011E\u2011Beam\u2011Verdampfung<\/strong> f\u00fcr hochschmelzende Metalle, Lift\u2011Off\u2011Stacks und hochreine supraleitende Filme<\/li>\n\n\n\n
                • Niedrigtemperaturprozesse (<\u202f150\u202f\u00b0C)<\/strong> voll kompatibel mit LNOI, InP und d\u00fcnnen Wafern<\/li>\n\n\n\n
                • Single\u2011Run\u2011F\u00e4higkeit<\/strong> f\u00fcr Seed\u2011Layer, RDL, Elektroden, AR\u2011Beschichtungen und komplexe Piezo\u2011Stacks<\/li>\n<\/ul>\n<\/div>\n\n\n\n
                  \n

                  Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                  25FAB bietet volumenqualifiziertes Sputtern und Elektronenstrahlverdampfung von piezoelektrischen Materialien, III-V-Verbindungen, Metallen sowie High\u2011k\/refrakt\u00e4ren Dielektrika mit atomarer Pr\u00e4zisionskontrolle auf 4\u20138\u202fZoll Wafern f\u00fcr Photonik-, MEMS- und Quantenanwendungen.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                  \n
                  \n

                  Wafer\u2011Scale Nanoimprint-Lithographie mit UV- und thermischen Verfahren<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                  4\u2011Zoll bis volle 8\u2011Zoll Produktionsplattform<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Aufl\u00f6sung:<\/strong> bis \u2264\u202f12\u202fnm (Half\u2011Pitch) und <\u202f30\u202fnm Routine auf 200\u202fmm Wafern<\/li>\n\n\n\n
                  • Overlay-Genauigkeit:<\/strong> \u2264\u202f5\u202fnm (3\u03c3) mit thermischen und UV-h\u00e4rtbaren Resists<\/li>\n\n\n\n
                  • High\u2011Throughput Imprint:<\/strong> >\u202f60\u202fWafer pro Stunde f\u00fcr Metalenses, DOEs, AR\/VR\u2011Waveguides, photonische Kristalle und Subwellenl\u00e4ngen-Gitter<\/li>\n\n\n\n
                  • Full\u2011Cycle Service:<\/strong> Master\u2011Origination (EBL\/Stepper), Arbeitsstempel\u2011Replikation (Soft & Hard), Imprint + RLT und Metallisierung<\/li>\n\n\n\n
                  • Kompatibilit\u00e4t:<\/strong> LiNbO\u2083, LNOI, SOI, Quarz, Glas und flexible Substrate<\/li>\n\n\n\n
                  • Defektdichte:<\/strong> <\u202f0,1\/cm\u00b2<\/li>\n\n\n\n
                  • Residual Layer Thickness (RLT):<\/strong> <\u202f8\u202fnm<\/li>\n\n\n\n
                  • Uniformit\u00e4t:<\/strong> <\u202f3\u202f%<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    Von Einzelprototypen bis zu 10\u202fk+ Wafern pro Stunde \u2013 der schnellste Weg von sub\u201120\u202fnm photonischen Nanostrukturen zum Markt.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                    \n

                    Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                    25FAB bietet schl\u00fcsselfertige, volumenf\u00e4hige UV- und thermische Nanoimprint-Lithographie mit \u2264\u202f12\u202fnm Aufl\u00f6sung, \u2264\u202f5\u202fnm Overlay-Genauigkeit und voller 200\u202fmm Wafer-Scale-F\u00e4higkeit f\u00fcr Photonik, Metasurfaces und AR\/VR-Optiken.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                    \n
                    \n

                    Wafer-Inspektionssystem zur Defekterkennung<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                    4\u2011Zoll bis 8\u2011Zoll automatisierte Pr\u00fcfung & Klassifizierung<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Wafergr\u00f6\u00dfen:<\/strong> 4\u2033 \/ 6\u2033 \/ 8\u2033 (290\u20131000\u202f\u00b5m Dicke)<\/li>\n\n\n\n
                    • Detektionssensitivit\u00e4t:<\/strong> \u2265\u202f0,2\u202f\u00b5m Partikel und Defekte (Bright\u2011Field, Dark\u2011Field und Photolumineszenz\u2011Modi)<\/li>\n\n\n\n
                    • Unterst\u00fctzte Materialien:<\/strong> Si, SiC, LiNbO\u2083 (LN), LiTaO\u2083 (LT), LNOI\/LTOI, SOI, Quarz, Glas, GaN, InP sowie alle Verbund\u2011\/heterogenen photonischen Wafer<\/li>\n\n\n\n
                    • Funktionen:<\/strong> Vollfl\u00e4chige Makro\u2011 und Mikroinspektion, automatisierte Defektklassifizierung und KLARF\u2011Export<\/li>\n\n\n\n
                    • Integration:<\/strong> Eingebunden in unser Metrologie\u2011Cluster f\u00fcr sofortiges Feedback in Lithographie\u2011, \u00c4tz\u2011 und Depositionsprozesse<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Keine blinden Flecken. Keine Defekte, die entkommen. Jeder kritische Fehler wird erkannt, bevor er Ihre Ausbeute kostet.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                      \n

                      Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                      25FAB bietet automatisierte Defekterkennung und -klassifizierung \u2265\u202f0,2\u202f\u00b5m (Bright\u2011Field\/Dark\u2011Field\/Photolumineszenz) auf 4\u20138\u202fZoll Si-, SiC-, LiNbO\u2083-, LiTaO\u2083- sowie allen photonischen und Verbindungshalbleiter-Wafern mit vollst\u00e4ndiger R\u00fcckverfolgbarkeit und Prozess-Loop-Integration.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                      \n
                      \n

                      Pr\u00e4zises Trimmen und Kantenprofilieren von Wafern<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                      Wafergr\u00f6\u00dfe:<\/strong> bis zu 8\u2011Zoll (200\u202fmm) Vollwafer und nicht\u2011standardisierte Substratformen Dickenbereich:<\/strong> \u2264\u202f1000\u202f\u00b5m (Ausgangsmaterial) Kantenbearbeitung:<\/strong> Trimmen und Anfasen mit Genauigkeit im Mikrometerbereich Materialien:<\/strong> LiNbO\u2083, LiTaO\u2083, LNOI\/LTOI, Quarz, Saphir, SiC, GaN, InP, SOI, Glas sowie alle gebondeten oder Verbundsubstrate Ergebnis:<\/strong> Saubere, ausbruchfreie Kanten \u2013 kompatibel mit nachfolgenden Lithographie- und Bonding\u2011Schritten.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                      \n

                      Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                      25FAB bietet pr\u00e4zises Wafer-Trimmen, Kantenprofilieren und Anfasen f\u00fcr alle \u2264\u202f8\u2011Zoll Standard- und Nicht\u2011Standard\u2011Substrate, einschlie\u00dflich empfindlicher piezoelektrischer und photonischer Materialien.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                      \n
                      \n

                      Metrologie f\u00fcr pr\u00e4zise Wafer-Ebenheit und Geometrie<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                      4\u2011Zoll bis 8\u2011Zoll | 300\u20131000\u202f\u00b5m Dicke<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Dual\u2011seitige interferometrische + kapazitive Messung<\/strong><\/li>\n\n\n\n
                      • Schl\u00fcsselparameter:<\/strong>\n
                          \n
                        • TTV \u2264\u202f0,3\u202f\u00b5m<\/li>\n\n\n\n
                        • LTV \u2264\u202f0,2\u202f\u00b5m<\/li>\n\n\n\n
                        • Warp\/Bow \u2264\u202f3\u202f\u00b5m<\/li>\n\n\n\n
                        • Dickenvariation \u2264\u202f0,5\u202f\u00b5m (3\u03c3 \u00fcber 200\u202fmm)<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
                        • Vollfl\u00e4chiges, hochdichtes Mapping:<\/strong> >\u202f1\u202fMillion Messpunkte\/Wafer in <\u202f60\u202fs<\/li>\n\n\n\n
                        • Kompatible Substrate:<\/strong> LiNbO\u2083, LTO, LNOI, SOI, SiC, GaN, InP, Quarz, Glas, gebondete und ausged\u00fcnnte Wafer<\/li>\n\n\n\n
                        • Echtzeit\u2011Reporting:<\/strong> GBIR\/SBIR\/SFQR mit direktem Feed\u2011Forward zu CMP\u2011, Bonding\u2011 und Lithographie\u2011Tools<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Garantiert perfekte Planarit\u00e4t f\u00fcr 3D\u2011Integration, Wafer\u2011Bonding und ultrad\u00fcnne photonische Bauelemente.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                          \n

                          Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                          25FAB bietet Submikrometer-Metrologie f\u00fcr TTV, Warp, Bow und Dicke sowie vollst\u00e4ndige geometrische Charakterisierung f\u00fcr alle 4\u20138\u202fZoll Substrate \u2013 von Standard-Silizium bis hin zu empfindlichen piezoelektrischen und gebondeten photonischen Wafern.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                          \n
                          \n

                          3D-Druckservice auf Basis der Zwei-Photonen-Polymerisation mit Nanoscribe-Technologie<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                          Echte Submikrometer-Direktstrukturierung auf 4\u20138\u202fZoll Wafern & Fasern<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Ausstattung:<\/strong> Nanoscribe Photonics Professional GT2 + Quantum X align<\/li>\n\n\n\n
                          • Laterale Strukturgr\u00f6\u00dfe:<\/strong> typisch 160\u202fnm, garantiert \u2264\u202f200\u202fnm<\/li>\n\n\n\n
                          • Vertikale Aufl\u00f6sung:<\/strong> typisch 400\u20131000\u202fnm<\/li>\n\n\n\n
                          • Maximales Einzelfeld-Volumen:<\/strong> 500 \u00d7 500 \u00d7 300\u202f\u00b5m (nahtlos, ohne Stitching)<\/li>\n\n\n\n
                          • Brechungsindex:<\/strong> n = 1,56 (IP\u2011Dip \/ kundenspezifische hochbrechende Resists verf\u00fcgbar)<\/li>\n\n\n\n
                          • Substrate:<\/strong> LNOI, SOI, Glas, Quarz, optische Faser-Endfl\u00e4chen, InP, GaN, vorstrukturierte Chips<\/li>\n\n\n\n
                          • Bew\u00e4hrte Strukturen:<\/strong> Fiber\u2011Tip\u2011Metalenses, High\u2011NA\u2011Freiformlinsen, Mikronadeln, 3D\u2011Photonik\u2011Wire\u2011Bonding, diffraktive Elemente, photonische Kristall\u2011Woodpiles, AR\/VR\u2011Near\u2011Eye\u2011Optiken<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Nahtlose Integration von 3D\u2011Nanooptiken direkt auf photonische Chips oder Faserfacetten \u2013 von Einzelprototypen bis zu tausenden Bauteilen pro Wafer.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                            \n

                            Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                            25FAB bietet branchenf\u00fchrenden Nanoscribe-3D-Druck mittels Zwei-Photonen-Polymerisation mit \u2264\u202f160\u202fnm lateraler Aufl\u00f6sung auf Wafern, Fasern und vorstrukturierten photonischen Chips f\u00fcr Metalenses, Faser\u2011Top\u2011Optiken, Freiform\u2011Mikrooptiken und 3D\u2011heterogene Integration.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                            \n
                            \n

                            Labor f\u00fcr die umfassende Charakterisierung piezoelektrischer D\u00fcnnschichten<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                            Vollst\u00e4ndiges 4\u20138\u202fZoll Wafer-Mapping | Produktionsreife Genauigkeit<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • d\u2083\u2083 & d\u2083\u2081 Koeffizienten:<\/strong> Direkte Piezo-Antwort (Aixacct TF\u20112000E & Doppelstrahl-LVP), routinem\u00e4\u00dfig >\u202f250\u202fpm\/V f\u00fcr AlScN, >\u202f150\u202fpm\/V f\u00fcr PZT<\/li>\n\n\n\n
                            • e\u2083\u2081,eff Mapping:<\/strong> Wafer-Level-Biegemethode, <\u202f3\u202f% Nicht-Uniformit\u00e4t \u00fcber 200\u202fmm<\/li>\n\n\n\n
                            • P\u2011E Hysterese & Erm\u00fcdung:<\/strong> bis zu 1\u202fMV\/cm, >\u202f10\u00b9\u2070 Zyklen Belastungstest<\/li>\n\n\n\n
                            • Dielektrische Konstante & Verlust:<\/strong> 1\u202fkHz\u201310\u202fMHz, tan\u03b4 <\u202f0,01 typisch<\/li>\n\n\n\n
                            • Leckstrom:<\/strong> fA\u2011Aufl\u00f6sung, Durchbruch >\u202f8\u202fMV\/cm<\/li>\n\n\n\n
                            • Vollwafer-Ferroelektrik-Uniformit\u00e4ts-Mapping:<\/strong> 49\u2013121 Messpunkte in <\u202f30\u202fmin<\/li>\n\n\n\n
                            • Curie-Temperatur & Phasenbest\u00e4tigung:<\/strong> In\u2011situ\u2011Heizung + Raman\/XRD<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Alle Messungen mit Kalibrierung r\u00fcckf\u00fchrbar auf PTB\/NIST\u2011Standards, Berichte anerkannt von f\u00fchrenden RF\u2011Filter-, PMUT- und TFLN\u2011Modulatorkunden weltweit.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                              \n

                              Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                              25FAB bietet vollst\u00e4ndige elektrische und piezoelektrische Charakterisierung (d\u2083\u2083, e\u2083\u2081, P\u2011E, Erm\u00fcdung, Leckstrom, Dielektrikum) mit Wafer\u2011Scale\u2011Mapping auf 4\u20138\u202fZoll AlN-, ScAlN-, PZT-, PLZT- und LN\u2011D\u00fcnnschichten f\u00fcr Produktionsfreigabe und Prozessqualifizierung.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                              \n
                              \n

                              FIB- und TEM-Analytik f\u00fcr photonische und piezoelektrische Ger\u00e4te<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                              TEM-Lamellenpr\u00e4paration: FEI Helios G4 CX & Scios 2 DualBeam FIB<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Routinedicke \u2264\u202f30\u202fnm (kritisch f\u00fcr HR\u2011TEM\/STEM)<\/li>\n\n\n\n
                              • Schutzschicht Pt \/ GaN-spezifisches Low\u2011kV\u2011Cleaning, <\u202f2\u202fnm amorphe Randbesch\u00e4digung<\/li>\n\n\n\n
                              • Ortsaufgel\u00f6ste Querschnitte auf LiNbO\u2083, AlScN, PZT, LNOI, InP\u2011PICs, Metasurfaces<\/li>\n\n\n\n
                              • Hoher Durchsatz: 4\u20136 perfekte Lamellen pro 8\u2011Stunden\u2011Schicht<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Atomare Aufl\u00f6sung TEM\/STEM: Thermo Fisher Spectra 300 Cs\u2011korrigiert (300\u202fkV)<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                Routinem\u00e4\u00dfige EELS\u2011 & EDX\u2011Kartierung von Sc\u2011Dotierungsprofilen in AlScN, Dom\u00e4nenstrukturen in LN, Grenzfl\u00e4chenqualit\u00e4t in LNOI\u2011Stacks<\/p>\n\n\n\n

                                Aufl\u00f6sung: 0,06\u202fnm (STEM), 0,12\u202fnm (TEM)<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                                \n

                                Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                25FAB bietet besch\u00e4digungsfreie FIB\u2011TEM\u2011Probenpr\u00e4paration (<\u202f30\u202fnm Lamellen) sowie atomar aufgel\u00f6ste, Cs\u2011korrigierte TEM\/STEM\/EELS\u2011Analysen auf allen 4\u20138\u202fZoll photonischen, piezoelektrischen und Verbindungshalbleiter\u2011Bauelementen.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

                                \n
                                \n

                                Umfassende Plattform f\u00fcr Oberfl\u00e4chen- und Materialcharakterisierung<\/strong><\/h2>\n\n\n\n

                                AFM (Bruker Dimension Icon):<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • Ra <\u202f0,1\u202fnm auf poliertem LN\/Si\u2083N\u2084<\/li>\n\n\n\n
                                • Peak\u2011Force QNM<\/li>\n\n\n\n
                                • Leitf\u00e4hige AFM<\/li>\n\n\n\n
                                • Piezo\u2011Response (PFM) Wafer\u2011Mapping<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  FE\u2011SEM (Zeiss Gemini 500):<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Aufl\u00f6sung 0,8\u202fnm @ 15\u202fkV<\/li>\n\n\n\n
                                  • In\u2011Lens\/SE\/BSE<\/li>\n\n\n\n
                                  • Low\u2011kV Imaging von LNOI\/TFLN ohne Aufladung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    EDS\/EDX (Oxford X\u2011Max\u207f 150\u202fmm\u00b2):<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                      \n
                                    • Elementkartierung von B bis U<\/li>\n\n\n\n
                                    • Sc\u2011Verteilung in AlScN<\/li>\n\n\n\n
                                    • Grenzfl\u00e4chenanalyse in gebondeten Stacks<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Integrierter Workflow:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                      <\u202f30\u202fmin SEM\u2192AFM\u2192EDX Cross\u2011Correlation<\/p>\n\n\n\n

                                      Waferf\u00e4hige Stages f\u00fcr 4\u20138\u202fZoll<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

                                      \n

                                      Hauptfunktion:<\/strong><\/p>\n\n\n\n

                                      25FAB bietet AFM (Topographie, PFM, c\u2011AFM), hochaufl\u00f6sendes FE\u2011SEM und quantitative EDX\u2011Analyse mit vollst\u00e4ndigem 200\u202fmm Wafer\u2011Mapping f\u00fcr photonische, piezoelektrische und Verbindungshalbleitermaterialien.<\/strong><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                      Leistungen -> Fertigung Dienstleistungen f\u00fcr Mikro- und Nanofabrikation Photo Lithographie Pr\u00e4zisions-Lithografie-Foundry \u2013 10\u202fnm bis 100\u202fnm, 4″ bis 8″ Wafer 25FAB bietet eine umfassende Inhouse-Lithografie-Suite, die nahtlos integriert: Alle Prozesse folgen einheitlichen Designregeln und Metrologie, wodurch risikofreie \u00dcberg\u00e4nge von 10\u202fnm F&E bis zu 100\u202fnm Hochvolumen-8″-Runs gew\u00e4hrleistet sind. Wenn Pr\u00e4zision, Skalierbarkeit und Zuverl\u00e4ssigkeit entscheidend sind, liefert 25FAB […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"parent":0,"menu_order":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","template":"page_home_de","meta":{"footnotes":""},"class_list":["post-760","page","type-page","status-publish","hentry"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/760","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/pages"}],"about":[{"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/types\/page"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=760"}],"version-history":[{"count":16,"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/760\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":1447,"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/760\/revisions\/1447"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/25fab.ch\/index.php\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=760"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}