Fertigungslauf – MPW – SIC 130 nm
Ultra-Niedrig-Resistivität SiC MPW-Lauf – Jetzt geöffnet!
130 nm minimale Strukturgröße
Hauptvorteile:
- Extrem niedrige Resistivität: 0,001–0,002 Ω·cm
- Beseitigt Ladeartefakte
- Perfekt für EV-Leistungsmodule, Hochspannungsgeräte, RF-Anwendungen und strahlungsempfindliche Technologien
Enthaltene Fähigkeiten:
- Direktes SiC-SiC-Bonden
- SiCOI-Optionen
- Fortschrittliche DUV-Lithografie bei 130 nm
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