生产批次 – SiC 超低电阻率 130 nm

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超低电阻率 SiC MPW 流程 – 现已开放！

最小特征尺寸：130 nm

主要优势：

• 极低电阻率：0.001–0.002 Ω·cm
• 消除充电伪影
• 非常适合电动车功率模块、高压器件、射频应用以及对束敏感的技术

包含的能力：

• 直接 SiC-SiC 键合
• SiCOI 选项
• 先进的 130 nm DUV 光刻

名额有限 – 立即注册！

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