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微纳加工服务

光刻

精密光刻代工厂——10nm至100nm，4英寸至8英寸晶圆

25FAB 提供一套全面的内部光刻套件，可无缝集成：

200kV电子束光刻（分辨率≤10nm，非常适合超表面和量子光子学）
193nm DUV 浸没式步进光刻机（100nm 结构，适用于 4 英寸至 8 英寸 TFLN、InP 和 MEMS-PIC 的批量生产）
无掩模激光直接曝光（≥300nm，适用于快速原型制作和微流控技术）
双面接触/投影对准器（≥0.8µm，亚微米级前后对准，适用于MEMS和键合）

所有工艺均遵循统一的设计规则和计量标准，确保从 10nm 研发到 100nm 大批量 8 英寸生产的过渡无风险。

当精度、可扩展性和可靠性至关重要时，25FAB 可提供无与伦比的光刻灵活性。

主要功能：

25FAB 提供全球最广泛的光刻产品组合——从 ≤10nm EBL 到 100nm 全尺寸 8 英寸 DUV 步进光刻机——能够在单一代工厂内实现从最高分辨率研究到大批量批量生产的无缝过渡。

蚀刻

业界领先的压电和光子薄膜干法刻蚀技术。具备完整的 4 英寸至 8 英寸刻蚀能力（以及芯片/部件加工），拥有最全面的干法刻蚀产品组合，适用于 LiNbO₃、LTO、PLZT、PZT、AlN、ScAlN、石英以及所有压电/光子薄膜：

用于铌酸锂、氧化钛、压电陶瓷、氮化铝的高品质、低损伤ICP/RIE工艺
用于压电堆和金属的超光滑IBE
用于高纵横比压电结构的无毛刺深反应离子刻蚀工艺
非粘附性气相HF/XeF₂释放

均匀性 <1.5% (3σ)，侧壁粗糙度 <1.5nm RMS，无损伤轮廓——已在完整的 200mm 晶圆上得到验证。

主要功能：

对铌酸锂 (LiNbO₃)、氧化钛 (LTO)、压电陶瓷 (PLZT)、锆钛酸铅 (PZT)、氮化铝 (AlN)、氮化硅 (AlScN)、氮化硅 (Si₃N₄)、二氧化硅 (SiO₂)、金属（铝/钛/钽/钨/金/铜）以及所有相关的光子/压电堆叠进行无损、超精确的干法刻蚀（ICP/RIE/DRIE/IBE/蒸汽-HF 和 XeF₂）——从单个芯片到完整的 8 英寸晶圆。

中等电流离子注入服务

晶圆尺寸：4、6、8、12 英寸以及非标准/定制形状。能量范围：5–210 keV。剂量范围：5 × 10¹¹–1 × 10¹⁷ 离子/cm²。注入角度：倾斜 0°–60°，扭转 0°–359°（四轴全控制）。支持的离子种类：H、He、P（其他离子种类可根据要求提供）。兼容衬底：SiC、Si、LiNbO₃、LiTaO₃、金刚石、LNOI/LTOI、石英。

主要功能：

25FAB 采用中等电流离子注入技术，对 SiC、LiNbO₃、LiTaO₃、金刚石和硅衬底（最大可达 12 英寸）进行 H、He 和 P 的可控掺杂和材料改性。

Präzisions-Rückschleif- und Spannungsentlastungsservice

4–8 Zoll Wafer

Ausgangsdicke: ≤ 2200 µm Endgültige TTV: < 1 µm (200 mm Wafer) Oberflächenfinish:

Si, LiNbO₃, LiTaO₃, SiO₂, YAG: Ra < 10 nm
4H/6H-SiC (mono- & polykristallin): Ra < 3 nm

Kompatible Materialien: SiC, Si, LN, LT, LNOI, Quarz, Saphir, YAG

Optionen für vollständige Spannungsentlastung und Entfernung von Subsurface-Schäden: Nassätzen / Trockenpolieren

Hauptfunktion:

25FAB bietet hochpräzises Rückschleifen und Oberflächenfinish für 4–8 Zoll SiC-, LiNbO₃-, LiTaO₃- und verwandte Substrate, um Submikrometer-TTV und Rauheiten im Nanometerbereich zu erreichen. Dies ermöglicht Dünnwafer-Packaging, reduzierte thermische Widerstände und verbesserte Wärmeableitung auf Bauelementebene.

Chemisch-mechanisches Polieren (CMP)

4–8 inch Wafers

Wafergrößen: 4, 6, 8 Zoll Dickenbereich: 290 – 1100 µm Oberflächenrauheit: Ra < 0,2 nm (polykristallines SiC: Ra < 0,5 nm) Abtragskontrolle: < 40 nm Gesamtdickenschwankung über den gesamten Wafer Kompatible Substrate: monokristallines und polykristallines SiC, Si, LiNbO₃ (LN), LiTaO₃ (LT), SiO₂, LNOI, gebondete Stapel sowie andere Verbundmaterialien

Hauptfunktion:

25FAB bietet produktionsreifes CMP (Chemisch-mechanisches Polieren), um Dünnschichten auf 4–8 Zoll Wafern zu planarisieren und zu polieren. Dabei werden Sub-Ångström-Rauheiten und eine Dickenuniformität von unter 40 nm erreicht – ideal für photonische, piezoelektrische und Verbindungshalbleiter-Bauelemente.

Hochtemperatur-LPCVD-Ofenanlage

4-Zoll to full 8-Zoll (200 mm)

Spannungsabgestimmtes Si₃N₄ (Zug/Druck, 10–800 nm) mit Brechungsindex 1,98–2,05 @ 1550 nm HTO (High-Temperature Oxide) und LTO (Low-Temperature Oxide) mit < 1 % Wafer-internem Uniformitätswert Ultraniedriges Stress- und Gradienten-Nitrid für freitragende Membranen, Wellenleiter und photonische Kristalle Poly-Si, amorphes Si und Hochtemperatur-Temperung (> 1100 °C) im selben Cluster Wasserstofffreie Prozesse für CMOS-kompatible und LiNbO₃-sichere Abscheidung

Von ultraniedrigverlustiger Si₃N₄-Photonik bis zu hochwertigen Gate-/Passivierungsoxiden – alles mit volumenfertiger Uniformität auf vollen 200 mm Wafern.

Hauptfunktion:

25FAB bietet spannungskontrolliertes LPCVD-Si₃N₄, HTO, LTO, Poly-Si sowie Hochtemperatur-Temperung mit atomarer Uniformität über 4–8 Zoll Wafer – für Photonik-, MEMS- und piezoelektrische Plattformen.

Präzises Wafer-Dicing & fortgeschrittene Formgebung

4″- bis 8″-Full-Service-Dicing-Plattform

Plasmabasiertes Stealth-Dicing: chipfrei, kerf-frei, ultradünne Die-Vereinzlung für LiNbO₃, LTO, SOI, GaN, SiC und fragile Dünnschichtstapel
Irreguläres / kundenspezifisches Shape-Dicing: Freiform, gekrümmt, hexagonal, Multi-Radius oder jede komplexe Geometrie mit Mikrometerpräzision
Hochgeschwindigkeits-Blade-Dicing, DBG und Multi-Projekt-Panelisierung ebenfalls verfügbar
Die-Festigkeit > 750 MPa routinemäßig erreicht bei 50 µm dünnem LiNbO₃

Von Standard-Rechtecken bis zu vollständig kundenspezifischen Konturen auf den empfindlichsten photonischen/piezoelektrischen Wafern – 25FAB schneidet, was andere nicht schneiden.

Hauptfunktion:

25FAB bietet chipfreies Stealth-Dicing und vollständig kundenspezifische Die-Vereinzlung (jede Geometrie) für 4–8 Zoll fragile Verbindungs-, piezoelektrische und photonische Wafer.

Wafer-Bonding bei Raumtemperatur

Wafergröße: 4, 6, 8 Zoll Waferdicke: ＜ 1000 µm Ausrichtungsgenauigkeit: X,Y ≤ 70 µm; θ ≤ 0,2° Bonding-Energie: 1,0–2,0 J/m² Verarbeitete Wafer-Typen: 4H-SiC, Poly-SiC, Si, SiO₂, LT, LN, Quarz, Glas, Saphir, InP, YAG, GaAs usw.

Hauptfunktion:

Homogenes und heterogenes Material-Bonding

Hydrophiles und hybrides Wafer-Bonding

Wafergröße: 6, 8 Zoll Waferdicke:

6 Zoll ≤ 700 µm
8 Zoll ≤ 800 µm

Bonding-Energie: 1,4 – 2,0 J/m² Verarbeitete Wafer-Typen: Si, SiO₂, LT, LN, InP, GaAs, SiN usw.

Hauptfunktion:

Homogenes und heterogenes Material-Bonding

Thermokompressions- und Anodenbondingverfahren

Wafergröße: 4, 6, 8, 12 Zoll
Waferdicke: 0,3 – 3 mm
Ausrichtungsgenauigkeit: ≤ 0,5 mm (mechanische Ausrichtung), ≤ 2 µm (optische Ausrichtung)
Bonding-Energie: ≥ 2,0 J/m²
Verarbeitete Materialtypen: Si, Au, Ag, Cu, AuSn, AlGe, SnAg, AuGe, AuIn, AuSi usw.

Hauptfunktion:

Thermokompressions-Bonding von metallischen Materialien, eutektisches Material-Bonding und Anodenbonding

Ionenstrahl-Polier- und Ätzmaschine

Wafergröße: 4, 6, 8 Zoll Waferdicke: 400 – 1000 µm Anlagenfähigkeit: Erhöhung des THK-Sigma um mehr als das 3-Fache

SiO₂ THK-Bereich < 10 Å
LTOI/LNOI-Bereich < 100 Å
SiCOI-Bereich < 1000 Å (Der Bereich wird durch den vorherigen Wert des Schicht-/Filmmaterials beeinflusst)

Verarbeitete Wafer-Typen: SOI, SiO₂, SiC-Verbundsubstrate, LNOI, LTOI und andere beschichtete Materialien

Hauptfunktion:

Ätzen verschiedener Dünnschichtmaterialien und Durchführung von Schichtdickenanpassungen

upferelektroplattierung mit hoher Uniformität für photonische und MEMS-Verbindungen

Kupfer-Elektroplattierung ohne Voids für Hoch-Aspekt-Ratio-TSVs, Gräben und Säulen

Schichtdickenfähigkeit von < 1 µm bis > 100 µm in einem einzigen Schritt
Mehrschichtige 3D-Interconnects mit nahtlosem Via-Chain-Stacking
Wafer-intern ≤ 2 % (1σ), Wafer-zu-Wafer ≤ 1,5 % Uniformität
Kompatibel mit LiNbO₃, LTO, SOI, InP, Glas und dünnen 8-Zoll-Wafern
Ultrageringe Spannung (< 30 MPa) und hochreines Kupfer (> 99,99 %) für photonische Redistribution-Layers (RDL), MEMS-Spulen und supraleitende Strukturen

Von dünner Seed-Verstärkung bis zu > 100 µm dicken Power-Routings – 25FAB liefert die branchenweit zuverlässigste Kupfer-Elektroplattierung für hybride photonische Geräte der nächsten Generation.

Hauptfunktion:

25FAB bietet void-freie, hochuniforme Kupferelektroplattierung bis > 100 µm Schichtdicke mit Multi-Layer-3D-Interconnect-Fähigkeit auf 4–8 Zoll photonischen, piezoelektrischen und Verbindungshalbleiter-Wafern.

Fortschrittliche PVD-Verfahren: Sputtern und Elektronenstrahlverdampfung

4‑Zoll bis volle 8‑Zoll (200 mm) volumenfähige Plattform

Reaktives & Co‑Sputtern von PZT, AlN, ScAlN, LiNbO₃, SiO₂, Al₂O₃, TiO₂, ITO, HfO₂, Ta₂O₅ (Uniformität < 0,8 % 1σ)
Präzisionsmetalle & Legierungen: Al, Cu, Ti, Ta, Au, Pt, Ni, Cr, W, Mo mit Spannungssteuerung ± 10 MPa
Multi‑Pocket‑E‑Beam‑Verdampfung für hochschmelzende Metalle, Lift‑Off‑Stacks und hochreine supraleitende Filme
Niedrigtemperaturprozesse (< 150 °C) voll kompatibel mit LNOI, InP und dünnen Wafern
Single‑Run‑Fähigkeit für Seed‑Layer, RDL, Elektroden, AR‑Beschichtungen und komplexe Piezo‑Stacks

Hauptfunktion:

25FAB bietet volumenqualifiziertes Sputtern und Elektronenstrahlverdampfung von piezoelektrischen Materialien, III-V-Verbindungen, Metallen sowie High‑k/refraktären Dielektrika mit atomarer Präzisionskontrolle auf 4–8 Zoll Wafern für Photonik-, MEMS- und Quantenanwendungen.

Wafer‑Scale Nanoimprint-Lithographie mit UV- und thermischen Verfahren

4‑Zoll bis volle 8‑Zoll Produktionsplattform

Auflösung: bis ≤ 12 nm (Half‑Pitch) und < 30 nm Routine auf 200 mm Wafern
Overlay-Genauigkeit: ≤ 5 nm (3σ) mit thermischen und UV-härtbaren Resists
High‑Throughput Imprint: > 60 Wafer pro Stunde für Metalenses, DOEs, AR/VR‑Waveguides, photonische Kristalle und Subwellenlängen-Gitter
Full‑Cycle Service: Master‑Origination (EBL/Stepper), Arbeitsstempel‑Replikation (Soft & Hard), Imprint + RLT und Metallisierung
Kompatibilität: LiNbO₃, LNOI, SOI, Quarz, Glas und flexible Substrate
Defektdichte: < 0,1/cm²
Residual Layer Thickness (RLT): < 8 nm
Uniformität: < 3 %

Von Einzelprototypen bis zu 10 k+ Wafern pro Stunde – der schnellste Weg von sub‑20 nm photonischen Nanostrukturen zum Markt.

Hauptfunktion:

25QFAB bietet schlüsselfertige, volumenfähige UV- und thermische Nanoimprint-Lithographie mit ≤ 12 nm Auflösung, ≤ 5 nm Overlay-Genauigkeit und voller 200 mm Wafer-Scale-Fähigkeit für Photonik, Metasurfaces und AR/VR-Optiken.

Wafer-Inspektionssystem zur Defekterkennung

4‑Zoll bis 8‑Zoll automatisierte Prüfung & Klassifizierung

Wafergrößen: 4″ / 6″ / 8″ (290–1000 µm Dicke)
Detektionssensitivität: ≥ 0,2 µm Partikel und Defekte (Bright‑Field, Dark‑Field und Photolumineszenz‑Modi)
Unterstützte Materialien: Si, SiC, LiNbO₃ (LN), LiTaO₃ (LT), LNOI/LTOI, SOI, Quarz, Glas, GaN, InP sowie alle Verbund‑/heterogenen photonischen Wafer
Funktionen: Vollflächige Makro‑ und Mikroinspektion, automatisierte Defektklassifizierung und KLARF‑Export
Integration: Eingebunden in unser Metrologie‑Cluster für sofortiges Feedback in Lithographie‑, Ätz‑ und Depositionsprozesse

Keine blinden Flecken. Keine Defekte, die entkommen. Jeder kritische Fehler wird erkannt, bevor er Ihre Ausbeute kostet.

Hauptfunktion:

25FAB bietet automatisierte Defekterkennung und -klassifizierung ≥ 0,2 µm (Bright‑Field/Dark‑Field/Photolumineszenz) auf 4–8 Zoll Si-, SiC-, LiNbO₃-, LiTaO₃- sowie allen photonischen und Verbindungshalbleiter-Wafern mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Prozess-Loop-Integration.

Präzises Trimmen und Kantenprofilieren von Wafern

Wafergröße: bis zu 8‑Zoll (200 mm) Vollwafer und nicht‑standardisierte Substratformen Dickenbereich: ≤ 1000 µm (Ausgangsmaterial) Kantenbearbeitung: Trimmen und Anfasen mit Genauigkeit im Mikrometerbereich Materialien: LiNbO₃, LiTaO₃, LNOI/LTOI, Quarz, Saphir, SiC, GaN, InP, SOI, Glas sowie alle gebondeten oder Verbundsubstrate Ergebnis: Saubere, ausbruchfreie Kanten – kompatibel mit nachfolgenden Lithographie- und Bonding‑Schritten.

Hauptfunktion:

25FAB bietet präzises Wafer-Trimmen, Kantenprofilieren und Anfasen für alle ≤ 8‑Zoll Standard- und Nicht‑Standard‑Substrate, einschließlich empfindlicher piezoelektrischer und photonischer Materialien.

Metrologie für präzise Wafer-Ebenheit und Geometrie

4‑Zoll bis 8‑Zoll | 300–1000 µm Dicke

Dual‑seitige interferometrische + kapazitive Messung
Schlüsselparameter:
- TTV ≤ 0,3 µm
- LTV ≤ 0,2 µm
- Warp/Bow ≤ 3 µm
- Dickenvariation ≤ 0,5 µm (3σ über 200 mm)
Vollflächiges, hochdichtes Mapping: > 1 Million Messpunkte/Wafer in < 60 s
Kompatible Substrate: LiNbO₃, LTO, LNOI, SOI, SiC, GaN, InP, Quarz, Glas, gebondete und ausgedünnte Wafer
Echtzeit‑Reporting: GBIR/SBIR/SFQR mit direktem Feed‑Forward zu CMP‑, Bonding‑ und Lithographie‑Tools

Garantiert perfekte Planarität für 3D‑Integration, Wafer‑Bonding und ultradünne photonische Bauelemente.

Hauptfunktion:

25FAB bietet Submikrometer-Metrologie für TTV, Warp, Bow und Dicke sowie vollständige geometrische Charakterisierung für alle 4–8 Zoll Substrate – von Standard-Silizium bis hin zu empfindlichen piezoelektrischen und gebondeten photonischen Wafern.

3D-Druckservice auf Basis der Zwei-Photonen-Polymerisation mit Nanoscribe-Technologie

Echte Submikrometer-Direktstrukturierung auf 4–8 Zoll Wafern & Fasern

Ausstattung: Nanoscribe Photonics Professional GT2 + Quantum X align
Laterale Strukturgröße: typisch 160 nm, garantiert ≤ 200 nm
Vertikale Auflösung: typisch 400–1000 nm
Maximales Einzelfeld-Volumen: 500 × 500 × 300 µm (nahtlos, ohne Stitching)
Brechungsindex: n = 1,56 (IP‑Dip / kundenspezifische hochbrechende Resists verfügbar)
Substrate: LNOI, SOI, Glas, Quarz, optische Faser-Endflächen, InP, GaN, vorstrukturierte Chips
Bewährte Strukturen: Fiber‑Tip‑Metalenses, High‑NA‑Freiformlinsen, Mikronadeln, 3D‑Photonik‑Wire‑Bonding, diffraktive Elemente, photonische Kristall‑Woodpiles, AR/VR‑Near‑Eye‑Optiken

Nahtlose Integration von 3D‑Nanooptiken direkt auf photonische Chips oder Faserfacetten – von Einzelprototypen bis zu tausenden Bauteilen pro Wafer.

Hauptfunktion:

25FAB bietet branchenführenden Nanoscribe-3D-Druck mittels Zwei-Photonen-Polymerisation mit ≤ 160 nm lateraler Auflösung auf Wafern, Fasern und vorstrukturierten photonischen Chips für Metalenses, Faser‑Top‑Optiken, Freiform‑Mikrooptiken und 3D‑heterogene Integration.

Labor für die umfassende Charakterisierung piezoelektrischer Dünnschichten

Vollständiges 4–8 Zoll Wafer-Mapping | Produktionsreife Genauigkeit

d₃₃ & d₃₁ Koeffizienten: Direkte Piezo-Antwort (Aixacct TF‑2000E & Doppelstrahl-LVP), routinemäßig > 250 pm/V für AlScN, > 150 pm/V für PZT
e₃₁,eff Mapping: Wafer-Level-Biegemethode, < 3 % Nicht-Uniformität über 200 mm
P‑E Hysterese & Ermüdung: bis zu 1 MV/cm, > 10¹⁰ Zyklen Belastungstest
Dielektrische Konstante & Verlust: 1 kHz–10 MHz, tanδ < 0,01 typisch
Leckstrom: fA‑Auflösung, Durchbruch > 8 MV/cm
Vollwafer-Ferroelektrik-Uniformitäts-Mapping: 49–121 Messpunkte in < 30 min
Curie-Temperatur & Phasenbestätigung: In‑situ‑Heizung + Raman/XRD

Alle Messungen mit Kalibrierung rückführbar auf PTB/NIST‑Standards, Berichte anerkannt von führenden RF‑Filter-, PMUT- und TFLN‑Modulatorkunden weltweit.

Hauptfunktion:

25FAB bietet vollständige elektrische und piezoelektrische Charakterisierung (d₃₃, e₃₁, P‑E, Ermüdung, Leckstrom, Dielektrikum) mit Wafer‑Scale‑Mapping auf 4–8 Zoll AlN-, ScAlN-, PZT-, PLZT- und LN‑Dünnschichten für Produktionsfreigabe und Prozessqualifizierung.

FIB- und TEM-Analytik für photonische und piezoelektrische Geräte

TEM-Lamellenpräparation: FEI Helios G4 CX & Scios 2 DualBeam FIB

Routinedicke ≤ 30 nm (kritisch für HR‑TEM/STEM)
Schutzschicht Pt / GaN-spezifisches Low‑kV‑Cleaning, < 2 nm amorphe Randbeschädigung
Ortsaufgelöste Querschnitte auf LiNbO₃, AlScN, PZT, LNOI, InP‑PICs, Metasurfaces
Hoher Durchsatz: 4–6 perfekte Lamellen pro 8‑Stunden‑Schicht

Atomare Auflösung TEM/STEM: Thermo Fisher Spectra 300 Cs‑korrigiert (300 kV)

Routinemäßige EELS‑ & EDX‑Kartierung von Sc‑Dotierungsprofilen in AlScN, Domänenstrukturen in LN, Grenzflächenqualität in LNOI‑Stacks

Auflösung: 0,06 nm (STEM), 0,12 nm (TEM)

Hauptfunktion:

25FAB bietet beschädigungsfreie FIB‑TEM‑Probenpräparation (< 30 nm Lamellen) sowie atomar aufgelöste, Cs‑korrigierte TEM/STEM/EELS‑Analysen auf allen 4–8 Zoll photonischen, piezoelektrischen und Verbindungshalbleiter‑Bauelementen.

Umfassende Plattform für Oberflächen- und Materialcharakterisierung

AFM (Bruker Dimension Icon):

Ra < 0,1 nm auf poliertem LN/Si₃N₄
Peak‑Force QNM
Leitfähige AFM
Piezo‑Response (PFM) Wafer‑Mapping

FE‑SEM (Zeiss Gemini 500):

Auflösung 0,8 nm @ 15 kV
In‑Lens/SE/BSE
Low‑kV Imaging von LNOI/TFLN ohne Aufladung

EDS/EDX (Oxford X‑Maxⁿ 150 mm²):

Elementkartierung von B bis U
Sc‑Verteilung in AlScN
Grenzflächenanalyse in gebondeten Stacks

Integrierter Workflow:

< 30 min SEM→AFM→EDX Cross‑Correlation

Wafer‑fähige Stages für 4–8 Zoll

Hauptfunktion:

25FAB bietet AFM (Topographie, PFM, c‑AFM), hochauflösendes FE‑SEM und quantitative EDX‑Analyse mit vollständigem 200 mm Wafer‑Mapping für photonische, piezoelektrische und Verbindungshalbleitermaterialien.